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Title
Thermal oxidation and dopant activation of silicon carbide / von Vito Šimonka
Additional Titles
Thermische Oxidation und Dotierstoffaktivierung in Siliziumkarbid
Authorimonka, Vito
CensorSelberherr, Siegfried ; Weinbub, Josef
PublishedWien, 2018
DescriptionXIII, 141 Seiten : Illustrationen, Diagramme
Institutional NoteTechnische Universität Wien, Dissertation, 2018
Annotation
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
LanguageEnglish
Document typeDissertation (PhD)
Keywords (DE)Siliziumkarbid / Thermische Oxidation / Dotierstoffaktivierung
Keywords (EN)Silicon Carbide / Thermal Oxidation / Dopant Activation
URNurn:nbn:at:at-ubtuw:1-117718 Persistent Identifier (URN)
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Thermal oxidation and dopant activation of silicon carbide [5.23 mb]
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Abstract (German)

Eines der am meisten untersuchten Materialien in der Mikroelektronik ist derzeit der Halbleiter mit großer Bandlücke Siliziumkarbid. Aufgrund seiner attraktiven Materialeigenschaften versprechen Anwendungen auf Siliziumkarbid-Basis eine höhere Energieeffizienz trotz höherer Betriebstemperaturen, -frequenzen und -spannungen, während gleichzeitig ein weiteres Verkleinern von Bauelementen ermöglicht wird. Die breite Verwendung von Siliziumkarbid ist jedoch aufgrund von kristallorientierungsabhängigen Phänomenen, sowie schlechten elektrischen Eigenschaften begrenzt. Um die Nutzung von Siliziumkarbid als wichtiges Substratmaterial für mikroelektronische Bauelemente signifikant zu steigern, ist es entscheidend, die physikalischen Effekte der involvierten Herstellungsschritte ganzheitlich zu verstehen und vorherzusagen. Diese Vorhersagen basieren auf Modellierungsund Simulationstechniken, welche entscheidend sind für den Entwurf und die Optimierung von Geräten und Herstellungsprozessen. Das ultimative Ziel dieser simulationsbasierten Vorhersagen ist es, den Bedarf für konventionelle, kostenintensive, experimentelle Untersuchungen und somit die Entwicklungskosten zu reduzieren, um letztlich das hohe Tempo des Fortschritts in der Halbleiterindustrie aufrechtzuerhalten. In dieser Arbeit werden zwei zentrale Herausforderungen bei der Modellierung und Simulation der Herstellung von Siliziumkarbid- Bauelementen untersucht und überwunden: Thermische Oxidation und Dotierstoffaktivierung. Der erste Teil befasst sich mit Oxidationsmechanismen und -modellen, insbesondere mit Massouds empirischem Modell, welches für die vier häufigsten Kristallorientierungen kalibriert ist. Darüber hinaus wird eine neuartige Interpolationsmethode für Oxidationswachstumsraten, die eine genaue dreidimensionale Simulation beliebiger Strukturen ermöglicht, vorgestellt und untersucht. Der zweite Teil konzentriert sich auf die Aktivierung von Dopanden während des Ausheilens nach der Ionenimplantation. Nach einer Beschreibung der involvierten Physik in den Ausheilverfahren werden drei Aktivierungsmodelle vorgestellt. Die entwickelten Modelle und ihre kalibrierten Parameter wurden in Silvacos Simulationswerkzeug, Victory Process, implementiert, welches zur Durchführung zahlreicher Untersuchungen verschiedener Siliziumkarbid-Bauelemente zur Verifizierung der Modellierungsansätze verwendet wird. Die Ergebnisse zeigen, dass es für die Herstellung von Bauelementen entscheidend ist, die Geometrie und Dotierungsprofile von Siliziumkarbid-Bauelementen genau vorhersagen zu können. Aus diesem Grunde schafft diese Arbeit ein neues Verständnis der Oxidationsund Aktivierungsmechanismen und kann so die Weiterentwicklung der Siliziumkarbid-Halbleitertechnologie fördern, wodurch ein Fortschritt von computergestützten Entwurfswerkzeugen mit neuartigen Modellierungsund Simulationsfähigkeiten für Oxidationsund Post-Implantationsausheilverfahren ermöglicht wird.

Abstract (English)

One of the most investigated materials in microelectronics is currently the wide bandgap semiconductor silicon carbide. Due to its attractive material properties, silicon carbidebased applications are promising higher energy efficiencies and at the same time higher operating temperatures, frequencies, and voltages, whilst allowing further physical downscaling. However, for a broad utilization, silicon carbide is facing several limitations due to crystal orientation-dependent phenomena as well as poor electrical characteristics. In order to significantly boost the exploitation of silicon carbide as a key substrate material for microelectronic devices, it is crucial to fully comprehend and predict the physical effects of the involved fabrication processing steps. Those predictions are based on modeling and simulation techniques, which are vital for the design and optimization of devices and device fabrication processes. The ultimate goal of simulation-based predictions is to reduce the need for conventional, cost-intensive experimental investigations and thus to reduce development costs, ultimately allowing to sustain the high pace of progress in semiconductor industry. In this work two key challenges in modeling and simulation of silicon carbide device fabrication are investigated and overcome: Thermal oxidation and dopant activation. The first part focuses on the oxidation mechanisms and models, in particular Massouds model, which is calibrated for the four most common crystal orientations. In addition, a novel interpolation method for oxidation growth rates, which enables accurate three-dimensional simulations of arbitrary structures, is presented and evaluated. The second part focuses on the activation of dopants during post-implantation annealing. After a discussion of the physics involved in annealing processes, three activation models are presented. The developed models and their calibrated parameters have been implemented into Silvacos Victory Process simulator which is used to perform numerous studies of various silicon carbide devices to verify the modeling approaches. The results show that it is crucial for device fabrication simulations to be able to accurately predict the geometry and doping profiles of silicon carbide devices. For this reason, this work provides a new understanding of the oxidation and activation mechanisms, promotes the advancement of the silicon carbide semiconductor technology, and, finally, enables to advance technology computer-aided design tools with novel modeling and simulation capabilities for oxidation and post-implantation annealing processes.

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