Titelaufnahme

Titel
Wolframcarbid/Silber-Kontaktwerkstoffe durch Gasdruckinfiltration / von Thomas Stadler
Weitere Titel
WC/AG contact material by spontaneous infiltration
VerfasserStadler, Thomas
Begutachter / BegutachterinEdtmaier, Christian
ErschienenWien, 2017
Umfang102 Seiten
HochschulschriftTechnische Universität Wien, Diplomarbeit, 2017
Anmerkung
Arbeit an der Bibliothek noch nicht eingelangt - Daten nicht geprueft
Abweichender Titel nach Übersetzung der Verfasserin/des Verfassers
SpracheDeutsch
DokumenttypDiplomarbeit
Schlagwörter (DE)Kontaktwerkstoffe / Infiltration
Schlagwörter (EN)contact material / infiltration
URNurn:nbn:at:at-ubtuw:1-96219 Persistent Identifier (URN)
Zugriffsbeschränkung
 Das Werk ist frei verfügbar
Dateien
Wolframcarbid/Silber-Kontaktwerkstoffe durch Gasdruckinfiltration [8.13 mb]
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Klassifikation
Zusammenfassung (Deutsch)

Es wurde die Möglichkeit untersucht Wolframcarbid in einer metallischen Matrix aus Ag(Si) mittels Gasdruckinfiltration einzubinden. Derartige Verbundwerkstoffe dienen als Kontaktwerkstoffe und werden kommerziell üblicherweise durch Sintern oder drucklosem Infiltrieren hergestellt. Die Aufgabenstellung betraf v.a. der Klärung der Infiltrationstiefe, welche sich in Abhängigkeit der Größe der WC-Partikel, der nominellen Zusammensetzung der Matrix, also des Si-Gehalts im Ag, und des angelegten Gasdrucks einstellt. Die Zugabe von Si zu Ag sollte v.a. der Verbesserung der Benetzbarkeit zwischen WC und der AgSi-Matrix dienen, führt aber auch dazu, dass gelöstes Si die Leitfähigkeit des Komposits verringert. Durch eine geeignete Wärmebehandlung, bei der das gelöste Si teilweise wieder ausgeschieden wird, kann jedoch die Leitfähigkeit wieder erhöht werden. Dazu wurden Messungen der elektrischen und thermischen Leitfähigkeit durchgeführt werden.

Zusammenfassung (Englisch)

This work concerns the preparation of WC/Ag(Si) composites by gas pressure infiltration. The objective was to study the infiltration depth in dependence of the WC particles size, alloy composition and applied gas pressure. Dissolved Si can be precipitated by heat treatments, which results in an increase in electrical and thermal conductivity.