Titelaufnahme

Titel
Numerical methods for topography simulation / von Otmar Ertl
VerfasserErtl, Otmar
Begutachter / BegutachterinSelberherr, Siegfried ; Süss, Dieter
Erschienen2010
UmfangXVIII, 141 Bl. : Ill., graph. Darst.
HochschulschriftWien, Techn. Univ., Diss., 2010
Anmerkung
Zsfassung in dt. Sprache
SpracheEnglisch
Bibl. ReferenzOeBB
DokumenttypDissertation
Schlagwörter (DE)Topographiesimulation / Raytracing / Level-Set-Methode / Abscheidung / Ätzen
Schlagwörter (EN)topography simulation / ray tracing / level set method / deposition / etching
Schlagwörter (GND)Wafer / Oberfläche / Beschichten / Ätzen / Topografie / Simulation / Monte-Carlo-Simulation / Ray tracing
URNurn:nbn:at:at-ubtuw:1-35882 Persistent Identifier (URN)
Zugriffsbeschränkung
 Das Werk ist frei verfügbar
Dateien
Numerical methods for topography simulation [7.8 mb]
Links
Nachweis
Klassifikation
Zusammenfassung (Deutsch)

Die Simulation von Herstellungsschritten in der Halbleiterfertigung erlaubt nicht nur ein besseres Verständnis der zugrunde liegenden Physik, sondern auch die Prozessoptimierung ohne teure Experimente. Viele Schritte in der Prozesskette, um integrierte Schaltungen herzustellen, verändern die Topographie der Waferoberfläche durch Ätzen oder Abscheidung neuer Materialschichten. Diese Arbeit präsentiert neue numerische Verfahren, die eine effiziente und genaue Simulation solcher Prozesse erlauben.

Ein Hauptproblem der Topographiesimulation stellt die korrekte zeitliche Beschreibung der geometrischen Veränderungen, insbesondere in drei Dimensionen, dar. Daher wurde basierend auf der Level-Set-Methode eine Technik entwickelt, die neueste Algorithmen und Datenstrukturen, wie die Sparse-Field-Methode oder hierarchische Lauflängenkodierung, benutzt, um Rechenzeit sowie Speicherverbrauch zu minimieren und die Zeitentwicklung großer dreidimensionaler Geometrien zu ermöglichen. Eine genaue Berücksichtigung verschiedenener Materialschichten und der davon abhängigen Oberflächenraten ist für Ätzprozesse besonders wichtig und konnte mit einer neuartigen Multi-Level-Set-Methode erreicht werden.

Zudem wurden Algorithmen für diverse geometrische Operationen und für den Test auf gerichtete Sichtbarkeit und Konnektivität verwirklicht. Um moderne Multikernprozessoren auszunützen, wird ein neuer Ansatz für die Parallelisierung der hierarchischen Lauflängenkodierung präsentiert.

Ein weiteres Problem ist die Bestimmung der Oberflächenraten für realistische Topographiesimulationen. Erweiterte Modelle für die Beschreibung der Oberflächenkinetik erfordern die Kenntnis der Teilchenflussverteilung an der Oberfläche. Obwohl meistens ballistischer Teilchentransport angenommen werden kann, ist die Berechnung dennoch sehr aufwändig, wenn Reemissionen oder spiegelartige Reflexionen berücksichtigt werden sollen. Simulationen sind daher oft limitiert auf vereinfachte Modelle oder kleine Strukturen. Ein vielversprechender Ansatz, um diese Einschränkung zu überwinden, ist eine Monte-Carlo-Methode, die durch die Simulation vieler Teilchentrajektorien die Flussverteilung bestimmt. Diese Arbeit präsentiert ein neues Verfahren, das diese Monte-Carlo-Berechnung direkt auf die implizite Oberflächendarstellung der Level-Set-Methode anwendet.

Zudem wurde der Rechenaufwand durch die Anwendung von erweiterten Raytracing-Algorithmen und -Datenstrukturen, die für die Bedürfnisse von Topographiesimulationen adaptiert und optimiert wurden, reduziert.

Schlussendlich werden die gezeigten numerischen Methoden anhand verschiedener in der Literatur beschriebene Prozessmodelle getestet, um die vielfältige Anwendbarkeit, insbesondere für große dreidimensionale Strukturen, zu demonstrieren.

Zusammenfassung (Englisch)

The simulation of semiconductor manufacturing steps allows for a better understanding of the underlying physics as well as for process optimizations, without the need for costly experiments. Many steps in the process chain for building integrated circuits alter the topography of the wafer surface by etching or deposition of new material layers. In this work, new numerical techniques for an efficient and more accurate simulation of such processes are presented. A major concern of topography simulations is an accurate description of the geometric changes over time, especially in three dimensions. For this purpose, a fast framework based on the level set method was developed. Using the latest algorithms and data structures, such as the sparse field method and hierarchical run-length encoding, the computation time and the memory consumption was minimized, which enabled the handling of the time evolution of large three-dimensional geometries. An accurate description of different material regions and material-dependent surface rates, which is especially important for the simulation of etching processes, was achieved using a novel multi-level-set technique. Moreover, algorithms for geometrical operations and testing of directional visibility and connectivity have been realized. In order to capitalize on modern multi-core processors, a new approach for the parallelization of the hierarchical run-length encoding is presented.

Another concern of realistic topography simulation is the determination of surface rates. Advanced surface kinetics models require the calculation of the particle flux distributions on the surface. Although the particle transport can be approximated to be ballistic for many processes, their calculation is still computationally very intensive, since reemissions or specular-like reflexions need to be considered.

Three-dimensional simulations are, therefore, often limited to simplified models or small structures. A promising approach to overcome these limitations is a Monte Carlo technique, which simulates many particle trajectories in order to derive the corresponding flux distributions. In this work, a new technique to apply the Monte Carlo calculation directly to the implicit level set surface representation is presented. Furthermore, in order to minimize the computational costs of this approach, advanced ray tracing algorithms and data structures were applied. These methods have been adapted and optimized for the requirements of topography simulations.

Finally, the presented numerical methods were tested on various process models which have been reported in literature in order to demonstrate their wide applicability, especially for large three-dimensional structures.