Titelaufnahme

Titel
Physical modeling of electron transport in strained silicon and silicon-germanium / Sergey Smirnov
VerfasserSmirnov, Sergey
Begutachter / BegutachterinKosina, Hans ; Selberherr, Siegfried
Erschienen2003
UmfangXVI, 122 Bl. : Ill., graph. Darst.
HochschulschriftWien, Techn. Univ., Diss., 2003
Anmerkung
Zsfassung in dt. Sprache
SpracheEnglisch
Bibl. ReferenzOeBB
DokumenttypDissertation
Schlagwörter (GND)Halbleiterschicht / Silicium / Germanium / Elektronentransport
URNurn:nbn:at:at-ubtuw:1-11422 Persistent Identifier (URN)
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Physical modeling of electron transport in strained silicon and silicon-germanium [6.56 mb]
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